由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。
IMFT公司在闪存工艺上一向非常激进，每12-15个月便升级一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年则率先达到了34nm，在业内领先六个月左右，也让Intel提前抢先发布了34nm第二代X25-M固态硬盘，美光也即将推出RealSSD C300系列。IMFT生产的闪存芯片有49％供给Intel客户、51％供给美光客户。

IMFT 25nm NAND闪存的量产将从今年第二季度开始，下半年开始批量出货，正好赶上Intel预计年底发布的第三代X25-M固态硬盘，容量有160GB、320GB、600GB等。
率先投产的25nm NAND闪存芯片使用了沉浸式光刻技术(对Intel来说是史上第一次)，内核面积167平方毫米，容量8GB(64Gb)，每单元容量2比特(2-bit-per-cell)。
IMFT 25nm NAND闪存支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2，界面速度最高可达200MB/s，页面(page)尺寸从50/34nm时代的4KB翻番到了8KB，块(Block)尺寸从128个页面加倍到256个页面，这些对性能提升都大有好处，Intel X25-M系列几乎必然能够再次狂飙了(只要固件别再出问题)。

此前的32nm 4GB 2-bpc MLC NAND闪存芯片面积为172平方毫米，也就是说工艺升级后容量翻了一番，尺寸却减小了9.7％。

其实去年IMFT还宣布了34nm工艺的3-bpc MLC NAND闪存计划，容量同为4GB，核心面积则只有126平方毫米。这种芯片只适合廉价或者对寿命要求不那么严格的产品，比如U盘，在固态硬盘上无论性能还是可靠性都不值得。

虽然半导体工艺日益复杂，但IMFT对未来充满信心，已经瞄准了10nm工艺，相当于只有大约20个原子并排的宽度，还在考虑电荷陷阱型存储(CTM)技术(取代现有的浮动栅极技术)和3D垂直堆叠技术。
按照12-15个月的升级周期，IMFT的下一代新工艺应该会在2011年年中诞生，2012年初投入实用，也许那时候固态硬盘将真正迎来主流地位。

科技发展越来越快了，希望都能造福于百姓吧

虽然慢慢开始普及了，但是价格还是高高在上。性能不见得就比传统的磁碟硬盘来的快，
要知道希捷的7200.12单碟500GB的硬盘平均传输率也是上了100MB/s的。

最近固态硬盘的新闻好多哦。目前暂时是没法压下成本的，所以SSD近期依旧是贵族用品。

现在1T机械硬盘都在不断涨价，这固态什么时候才便宜啊

IT产品是最不保值的，少数的极品也是在不断的贬值中。有时候感觉像一次性用品一样。固态硬盘过不了几年就普及开了，那时就如现在的普通硬盘价格一样了，更有在未来的5年内同能的是出现这种局面（作为发烧友而言）固态硬盘当系统盘和常用的盘，普通硬盘用为储存盘（性价比的优势使它能延续一段很长的时间）

[ 本帖最后由 gaoymuu 于 2010-2-1 11:58 编辑 ]

看来真的要靠近原子级的电脑了，这些技术发展的太快了

唯一担心技术推进的力度如此激进，将来会不会像几年前SHARP推出GX32手机的时候那样，技术领先太多，到后来推出的手机其实没太大改进，只能多出几款低端的来衬托没有大改革的新型号。

固态硬盘以后必将取代传统硬盘！这玩意读写速度太快了！在CPU频率已经达到极限的今天，除了拓展多核心，提升硬盘读写速度应该也有助于提高电脑整体性能！就是价格太高了！

我喜欢固态硬盘，因为不怕震动，可以在床上翻来覆去的看；但是也害怕，因为读写可靠性不如传统硬盘，有可能某天有个区域就坏了，所以只能说存文件，用固态硬盘，但是windows的临时文件的那个盘，我看还是用传统硬盘来的合适。